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化学机械抛光 (CMP)，全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization，是一种全局平坦化工艺。CMP不是单纯的物理磨削，它结合了化学腐蚀和机械抛光两种方式，以达到去除表面不平整材料、实现原子级平整的目的。

在CMP抛光机上对产品进行抛光时，通过抛光液中的化学成分先与晶圆表面的材料发生轻微化学反应，使其软化，然后CMP抛光机上的抛光头对晶圆施加压力，晶圆和抛光垫发生相对运动产生摩擦力来有效去除晶圆表面厚度,达到平坦化的目的。

全自动CMP抛光机分为8大系统：

1、抛光系统

2、清洗系统

3、终点检测系统

4、控制系统

5、传输系统

CMP抛光机可以抛光金属材料：包括Al，W,Cu等互连层；Ti，TiN,Ta,TaN等阻挡层。

介质层：SiO2，PSG,BPSG，SiNx,Al2O3等。

半导体材料：Si,GaN,SiC，GaAs，InP等等

所以化学机械抛光（CMP）是结合化学腐蚀与机械抛光的全局平坦化工艺，是ULSI生产关键工序，机台含5大系统，可抛光金属、介质及半导体材料。