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在现代工业中，表面加工是至关重要的一环。为了达到所需的表面粗糙度、光洁度和平整度等要求，往往需要进行抛光处理。

CMP（Chemical Mechanical Polishing）是一种目前非常流行的抛光工艺，它可以在短时间内实现高质量的表面加工。

而CMP抛光垫则是CMP抛光过程中的重要材料之一，它的性能直接影响着CMP的抛光效果。

一、CMP抛光垫的成分

抛光垫是圆盘形的，最常见的是由硬质多孔聚氨酯泡沫制成，并带有狭窄的高纵横比凹槽图案。

聚氨酯的多孔结构可以在抛光过程中缓冲抛光液和磨料颗粒的压力，防止过度磨损。

这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用，有利于提高抛光均匀性和抛光效率， 孔尺寸越大其运输能力越强。

二、CMP抛光垫的用途

CMP抛光垫主要用于硅片、金属、陶瓷等材料的平坦化抛光。由于CMP抛光垫的多孔结构和软性磨料材料，可以适应不同硅片材料的表面结构，达到不同表面加工的需求。

在微电子、半导体、光电等领域中，CMP抛光垫的使用越来越广泛，尤其是在制造高性能晶体管、集成电路和MEMS等微纳米器件中，CMP抛光垫的质量和性能至关重要。

在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：

1、使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；

2、从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；

3、传递材料去除所需的机械载荷；

4、维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织特征，如微孔形状、孔隙率、沟槽形状等，可通过影响抛光液流动和分布，来决定抛光效率和平坦性指标。

所以CMP抛光垫多为带凹槽的圆盘形硬质多孔聚氨酯泡沫（聚氨酯弹性耐磨性好，多孔结构可缓冲、传液等，孔大则运输强）；

主要用于硅片等材料平坦化抛光（适配性强，广用微电子等领域及微纳米器件制造）；

在CMP制程中能实现抛光液循环、清残留、传载荷、维环境，表面组织特征也影响抛光效率与平坦性。